Un nouveau mécanisme pour les dispositifs de mémoire ultra-rapides
(04-05-2021) Des chercheurs chinois de l’Institut de physique de la CAS ont découvert un nouveau mécanisme pour développer des dispositifs de mémoire non volatile capables de réaliser des opérations de lecture et d’écriture ultra rapides et conserver les données pendant au moins dix ans. A lire dans Nature Nanotechnology (recherche financée par la NSFC, le MOST et la CAS).
– Source : China Daily ; Nature